安森美:輝達伺服器轉向800V架構 氮化鎵半導體迎量產元年成新主角
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標題: 安森美:輝達伺服器轉向800V架構 氮化鎵半導體迎量產元年成新主角
作者: 曾智能
發表時間: 2026-09-29 07:10:27
第三代半導體
Vera Rubin
輝達
垂直氮化鎵
描述: 輝達宣布將自2027年起推動伺服器架構轉向800伏特直流電
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