三星衝破900層NAND門檻 技術大反攻劍指SK海力士
標題: 三星衝破900層NAND門檻 技術大反攻劍指SK海力士
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作者: 鉅亨網新聞中心
發表時間: 2026-05-26 10:06:47
描述: 三星電子在記憶體堆疊技術上再度寫下里程碑。據南韓業界消息，公司已成功打造出全球首個 900 層級 V-NAND（垂直型快閃記憶體）整合系統原型。這項突破不僅象徵三星正式跨入「千層 NAND 時代」門檻，也在競爭激烈的次世代記憶體戰局中，重新鞏固其技術領先地位。 隨著生成式 AI 伺服器、智慧型手機
