三星首創900層V-NAND「空中對接」 記憶體戰爭變天了

標題: 三星首創900層V-NAND「空中對接」 記憶體戰爭變天了


作者: 鉅亨網新聞中心
發表時間: 2026-06-03 13:03:26

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描述: 三星電子宣布完成全球首個 900 層 V-NAND 快閃記憶體原型開發，透過先進接合技術將兩片 450 層晶圓整合為單一元件，而非單純向上增加堆疊層數。隨著單層垂直堆疊逐漸逼近物理極限，NAND Flash 技術競賽也迎來轉折點，從過去比拚層數的「向上硬擠」，正式邁向多晶圓「空中對接」的新架構時代。
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