今年內量產！SK海力士V10 NAND採375層堆疊設計 「鉬取代鎢」有望助力性能提升

標題: 今年內量產！SK海力士V10 NAND採375層堆疊設計 「鉬取代鎢」有望助力性能提升


作者: 鉅亨網編譯陳韋廷
發表時間: 2026-06-11 10:45:25

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描述: 全球 NAND Flash 技術競賽再掀新高潮，外電最新報導指出，SK 海力士已完成下一代 V10 系列 375 層 3D NAND 閃存生產驗證，正推進產線轉換，目標 2026 年透過現有工廠升級實現大規模量產，挑戰三星電子在超高堆疊技術的領先地位。 韓媒《THE ELEC》10 日報導，SK
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