3奈米下良率救星？美商應材推新型沉積與蝕刻設備 助力3D晶圓製程突破
標題: 3奈米下良率救星？美商應材推新型沉積與蝕刻設備 助力3D晶圓製程突破
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作者: 鉅亨網編譯陳韋廷
發表時間: 2026-06-16 07:50:03
描述: 美國應用材料公司週一 (15 日) 發佈兩款針對先進半導體製造的新系統，旨在解決高深寬比 3D 結構中精密加工的核心難題，進一步推動邏輯晶片與記憶體晶片的製程延伸。 在 AI 算力需求持續擴張的背景下，全球半導體業加速向全環繞柵極 (GAA) 晶體管及高層數 3D NAND 等架構演進。 應材此
