HBM後輪NAND大缺貨？韓媒：三星將逾6成V-NAND產能給輝達 加速V9、V10布局

標題: HBM後輪NAND大缺貨？韓媒：三星將逾6成V-NAND產能給輝達 加速V9、V10布局


作者: 鉅亨網編譯陳韋廷
發表時間: 2026-07-22 16:00:07

三星電子 快閃記憶體 輝達 產能 V-NAND V9 V10 CMX AI伺服器 SSD headline

描述: 外媒報導指出，三星電子正將超過 60% 的 V-NAND(垂直堆疊 NAND) 產能供應給輝達，用於後者即將鋪量的 AI 伺服器上下文存儲平台 CMX(Context Memory Storage)。單套 CMX 搭載 576 塊 SSD、總容量達 9600TB，專門承接大模型推理時暴增的 KV 快
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