長鑫DRAM材料技術大突破 High-k導入量產、縮小與三巨頭差距
標題: 長鑫DRAM材料技術大突破 High-k導入量產、縮小與三巨頭差距
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作者: 鉅亨網新聞中心
發表時間: 2026-08-28 09:17:36
描述: 中國DRAM大廠長鑫儲存（CXMT）在材料技術上取得新進展。長鑫已將過去主要由三星電子(005930KS) 、SK海力士(000660KS) 與美光(MU-US) 等領先業者採用的高介電常數（High-k）材料，導入最新一代DRAM產品並進入量產，顯示其正快速縮小與產業龍頭的技術差距。 TechI
