全面突破！三星3D DRAM變「晶圓級樂高」專家：水平電容＋GAA＋PoC 目標是低壓低密度的全新DRAM單元
標題: 全面突破！三星3D DRAM變「晶圓級樂高」專家：水平電容＋GAA＋PoC 目標是低壓低密度的全新DRAM單元
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作者: 鉅亨網編譯陳韋廷
發表時間: 2026-09-24 15:20:02
描述: 南韓三星電子近期在3D DRAM研發上交出階段性成果：其16層垂直堆疊VS-DRAM(Vertically Stacked DRAM)已完成晶片級讀寫驗證，核心以「水平電容＋GAA單元電晶體＋Peri-on-Cell鍵合」重構1T1C架構，目標是把DRAM從平面微縮推進到Z軸堆疊，延續10奈米以下節
