AI散熱需求催油門 12吋SiC發展加速 單晶、多晶、鍵合三路競逐
標題: AI散熱需求催油門 12吋SiC發展加速 單晶、多晶、鍵合三路競逐
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作者: 鉅亨網記者魏志豪 台北
發表時間: 2026-09-27 10:41:20
描述: AI與HPC晶片功耗升高，帶動SiC切入AI先進封裝散熱，12吋SiC路線競爭升溫。
Resonac成功長出並加工12吋SiC單晶基板；住友金屬礦山開發12吋鍵合SiC基板並已送樣。
中國泰坦未來推12吋多晶SiC；Wolfspeed與盛新材料也投入12吋SiC，市場聚焦低成本高導熱材料。
