SiC搶攻AI能源商機 漢磊提供客戶高良率、高品質出貨技術
標題: SiC搶攻AI能源商機 漢磊提供客戶高良率、高品質出貨技術
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作者: 鉅亨網記者黃皓宸 台北
發表時間: 2026-09-28 23:54:43
描述: 漢磊發表Gen5 SiC DMOS平台，單元pitch微縮至3.3μm，導通損耗降12%、效能升約15%。
平台延續平面型架構，1200V產品晶圓測試率已穩定突破90%以上，兼顧可靠度與量產成本優勢。
應用擴至AI伺服器800V HVDC、電動車、儲能與超充樁，並規劃延伸至3.3kV以上。
