長鑫新技術打崩美光、SanDisk？瑞穗列七大理由勸別急著賣
標題: 長鑫新技術打崩美光、SanDisk？瑞穗列七大理由勸別急著賣
![]()
作者: 鉅亨網編輯林羿君
發表時間: 2026-10-14 06:11:38
描述: 長鑫儲存稱年底前推4F² DDR5 RDIMM，記憶單元面積較6F²縮小約三分之一，目標2026年底前推出。
瑞穗TMT專家指，長鑫進展未改變美光、SanDisk、SK海力士與三星投資人的短期判斷。
長鑫未證明量產、良率、客戶認證與成本競爭力，且產品屬傳統伺服器DRAM，對AI基建影響有限。
