三星製造出首個 10 奈米以下製程 DRAM 工程裸晶，預計 2028 年量產

標題: 三星製造出首個 10 奈米以下製程 DRAM 工程裸晶，預計 2028 年量產


作者: Atkinson
發表時間: 2026-04-27 08:30:05

IC 設計 Samsung 半導體 晶片 記憶體 dram 三星 美光

描述: 根據韓國媒體報導，三星電子已成功製造出全球首款製程低於 10 奈米的「個位數奈米」DRAM 工程裸晶，代表著記 […]
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