格棋、普渡大學簽署 SiC 技術合作協議，布局下一代材料與高功率應用

標題: 格棋、普渡大學簽署 SiC 技術合作協議，布局下一代材料與高功率應用


作者: 林 妤柔
發表時間: 2026-05-29 17:20:42

材料 SiC 普渡大學 格棋半導體

描述: 格棋化合物半導體（GCCS）今（29 日）宣布與美國普渡大學（Purdue University）簽署合作備忘 […]
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