比DRAM快1000倍！日本東大團隊研發40皮秒超高速記憶體 解決能耗瓶頸

標題: 比DRAM快1000倍！日本東大團隊研發40皮秒超高速記憶體 解決能耗瓶頸


作者: 鉅亨網編譯陳韋廷
發表時間: 2026-05-21 18:00:07

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描述: 日本東京大學研究團隊近日宣布，成功開發出一種全新的非揮發性磁性開關零件，能在僅 40 皮秒 (picosecond) 內完成狀態切換，不僅速度驚人，且功耗極低、發熱量遠低於過去許多超快開關技術，被視為有望解決當前 AI 硬體面臨最大瓶頸之一：龐大的資料移動與儲存所帶來的能源消耗與散熱壓力。 《To
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