全球首發！三星發表42奈米3D堆疊電晶體技術 垂直突破邏輯晶片極限

標題: 全球首發！三星發表42奈米3D堆疊電晶體技術 垂直突破邏輯晶片極限


作者: 鉅亨網編譯陳韋廷 綜合外電
發表時間: 2026-06-17 18:20:07

三星 3D堆疊FET 電晶體 高效能運算 HPC FinFET 高頻寬記憶體 HBM headline

描述: 南韓三星電子近日在 2026 年 VLSI 超大規模積體電路研討會上宣布，全球首次實現閘極間距 42 奈米的 3D 堆疊電晶體 (3D Stacked FET) 技術。 傳統邏輯晶片依賴縮小電晶體橫向間距提升整合度，但若尺寸持續壓縮，薄層絕緣層易產生漏電干擾，但 3D 堆疊 FET 將原本並排放置
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