HBM迎重大突破？日韓同步提出「直立式DRAM」新架構

標題: HBM迎重大突破？日韓同步提出「直立式DRAM」新架構


作者: 鉅亨網新聞中心
發表時間: 2026-07-12 13:10:05

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描述: 日韓研究團隊在 IEEE VLSI 研討會同步發表新一代 HBM 架構 V-Die 與 MOSAIC，透過直立式 DRAM 設計提升散熱、容量與頻寬，可望改善 AI 晶片記憶體瓶頸。另一方面，中國 DRAM 大廠長鑫科技敲定科創板 IPO，募資約 2
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