中韓記憶體代差縮小：NAND只剩1年、DRAM約2年 HBM仍卡關
標題: 中韓記憶體代差縮小：NAND只剩1年、DRAM約2年 HBM仍卡關
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作者: 鉅亨網新聞中心
發表時間: 2026-09-16 11:50:03
描述: 韓國半導體產業協會（KSIA）報告指出，目前中國與韓國在NAND快閃記憶體的技術代差約1年，DRAM約2年，HBM則仍落後約3年。其中，長江儲存積極推進400層NAND量產，長鑫儲存(688825-CN) 則已啟動HBM3E試產，但目前綜合良率僅約21%，先進製程與良率仍是追趕關鍵。 長江儲存NA
