美光下一代AI記憶體突破面臨散熱難題！vHBM瞄準2028年量產、頻寬升級成關鍵
標題: 美光下一代AI記憶體突破面臨散熱難題！vHBM瞄準2028年量產、頻寬升級成關鍵
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作者: 鉅亨網編譯莊閔棻
發表時間: 2026-10-24 13:40:05
描述: 美光開發vHBM，將DRAM垂直堆疊於處理器上方，目標提升AI推論頻寬與容量。
美光規劃vHBM 2028年量產、2030年前推三代；vEIM第一代目標頻寬2TB/s，能耗低於1皮焦耳。
vHBM雖有助AI記憶體效能，但散熱成主要難題，分析師估將與傳統HBM並行。
