長鑫存儲準備年底推出 4F² DDR5 RDIMM 產品，預計超前三星 2 年

標題: 長鑫存儲準備年底推出 4F² DDR5 RDIMM 產品，預計超前三星 2 年


作者: Emma stein
發表時間: 2026-10-11 12:01:46

半導體 零組件 DDR5 dram 記憶體 長鑫存儲

描述: 長鑫存儲近日透露 4F² DRAM 架構研發取得新進展，並預告年底前推出結合 4F² 架構、混合鍵合等技術的新 […]
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