日韓團隊提突破性 AI 記憶體設計，DRAM「側向立起」破解 HBM 散熱與頻寬瓶頸

標題: 日韓團隊提突破性 AI 記憶體設計，DRAM「側向立起」破解 HBM 散熱與頻寬瓶頸


作者: TechNews 編輯台
發表時間: 2026-07-13 10:50:42

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描述: 韓國與日本研究團隊近日提出兩種全新的記憶體整合構想，試圖在不讓高頻寬記憶體（HBM）堆疊持續升高的情況下，提升 […]
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