中國記憶體加速追趕！長鑫 DRAM 落後 2 年，長江 NAND 竟只差 1 年

標題: 中國記憶體加速追趕！長鑫 DRAM 落後 2 年，長江 NAND 竟只差 1 年


作者: 林 妤柔
發表時間: 2026-09-16 10:35:47

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描述: 韓國半導體產業協會（KSIA）近日量化中國在半導體技術上追趕西方的驚人速度，指出 NAND 巨頭長江存儲與 D […]
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